Številka izdelka proizvajalca:
IPB77N06S212ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB77N06S212ATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 55 V 77A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
12803335
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB77N06S212ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
77A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11.7mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 93µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1770 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
158W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB77N06
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPB77N06S212ATMA2-DG
448-IPB77N06S212ATMA2TR
SP001061294
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPB80N06S2L11ATMA2
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
923
ŠTEVILKA DELA
IPB80N06S2L11ATMA2-DG
CENA ENOTE
0.85
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AUIRFS3206
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IPD90P04P405AUMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
IPD49CN10N G
MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
