Številka izdelka proizvajalca:
IPB80N04S404ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB80N04S404ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Podroben opis:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
2000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803751
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB80N04S404ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 35µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3440 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
71W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB80N04
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP000646178
IFEINFIPB80N04S404ATMA1
IPB80N04S4-04-DG
IPB80N04S404ATMA1DKR
IPB80N04S4-04
IPB80N04S404ATMA1TR
2156-IPB80N04S404ATMA1
IPB80N04S404ATMA1CT
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFS7534TRL7PP
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
IPD180N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
IPL60R210P6AUMA1
MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
