Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IPB80N06S2H5ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB80N06S2H5ATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
967 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12801351
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB80N06S2H5ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 230µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4400 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB80N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IPx80N06S2-H5
HTML tehnični list
IPB80N06S2H5ATMA2-DG
Tehnični listi
IPB80N06S2H5ATMA2
Dodatne informacije
Druga imena
IPB80N06S2H5ATMA2-DG
IFEINFIPB80N06S2H5ATMA2
IPB80N06S2H5ATMA2TR
IPB80N06S2H5ATMA2DKR
IPB80N06S2H5ATMA2CT
SP000376884
2156-IPB80N06S2H5ATMA2
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STB160N75F3
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
970
ŠTEVILKA DELA
STB160N75F3-DG
CENA ENOTE
2.27
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IXTA140N055T2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXTA140N055T2-DG
CENA ENOTE
1.85
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD65R380C6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
IPA60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
IPB60R099CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3