Številka izdelka proizvajalca:
IPB80P04P407ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB80P04P407ATMA2-DG
Opis:
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Podroben opis:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
1904 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12968743
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB80P04P407ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 150µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6085 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
88W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB80P
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPB80P04P407ATMA2CT
448-IPB80P04P407ATMA2TR
448-IPB80P04P407ATMA2DKR
SP002325750
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXFA34N65X3
MOSFET 34A 650V X3 TO263
IAUC60N06S5L073ATMA1
MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
IPA028N04NM3SXKSA1
TRENCH <= 40V PG-TO220-3
