Številka izdelka proizvajalca:
IPB90R340C3ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB90R340C3ATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
1904 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800816
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB90R340C3ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
340mOhm @ 9.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2400 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
208W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB90R340
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IPB90R340C3ATMA2CT
SP002548864
IPB90R340C3ATMA2TR
IPB90R340C3ATMA2DKR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD65R420CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
IPC60R165CPX1SA4
MOSFET N-CH BARE DIE
BSZ105N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
