Številka izdelka proizvajalca:
IPB95R130PFD7ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB95R130PFD7ATMA1-DG
Opis:
HIGH POWER_NEW
Podroben opis:
N-Channel 950 V 36.5A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
2000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12991594
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB95R130PFD7ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
950 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
36.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
130mOhm @ 25.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1.25mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4170 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
227W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPB95R130PFD7ATMA1CT
448-IPB95R130PFD7ATMA1TR
448-IPB95R130PFD7ATMA1DKR
SP005547005
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ISZ75DP15LMATMA1
TRENCH >=100V
IAUTN12S5N017ATMA1
MOSFET_(120V 300V)
IPB95R310PFD7ATMA1
LOW POWER_NEW