Številka izdelka proizvajalca:
IPC100N04S51R7ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPC100N04S51R7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Podroben opis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Zaloga:
9970 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12801261
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPC100N04S51R7ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
7V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.4V @ 60µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4810 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
115W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-34
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
IPC100
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPC100N04S51R7ATMA1DKR
IPC100N04S51R7ATMA1TR
SP001257554
IPC100N04S51R7ATMA1CT
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DMT4002LPS-13
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
2500
ŠTEVILKA DELA
DMT4002LPS-13-DG
CENA ENOTE
0.54
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPL65R420E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK
IPB11N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
IPD60R520CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3
