Številka izdelka proizvajalca:
IPD031N06L3GATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD031N06L3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
71024 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803042
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD031N06L3GATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 93µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
79 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
13000 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
167W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD031
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPD031N06L3G
IPD031N06L3 GTR-DG
IPD031N06L3 GDKR
IPD031N06L3 G-DG
IPD031N06L3GATMA1TR
IPD031N06L3 GCT-DG
IPD031N06L3 G
IPD031N06L3GATMA1DKR
IPD031N06L3GATMA1CT
SP000451076
IPD031N06L3 GCT
IPD031N06L3 GDKR-DG
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD65R600E6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
IRF7477
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPA65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
