IPD036N04LGATMA1
Številka izdelka proizvajalca:

IPD036N04LGATMA1

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

IPD036N04LGATMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Podroben opis:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Zaloga:

41796 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12930204
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IPD036N04LGATMA1 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™ 3
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
90A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.6mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 45µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6300 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
94W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-11
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD036

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
448-IPD036N04LGATMA1TR
SP001128832
448-IPD036N04LGATMA1DKR
448-IPD036N04LGATMA1CT
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
rohm-semi

R6035KNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

rohm-semi

R6035ENZ4C13

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

nexperia

PSMN8R5-40MSDX

MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33

onsemi

NTDV2955-1G

MOSFET P-CH 60V 12A IPAK