Številka izdelka proizvajalca:
IPD053N06N3GBTMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD053N06N3GBTMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
12848574
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD053N06N3GBTMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
90A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 58µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6600 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
115W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD053N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPD053N06N3GBTMA1CT
IPD053N06N3 GCT-DG
IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 G-DG
IPD053N06N3G
IPD053N06N3GBTMA1DKR
IPD053N06N3 GTR-DG
IPD053N06N3GBTMA1TR
IPD053N06N3 G
SP000453318
IPD053N06N3 GDKR-DG
IPD053N06N3 GDKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDD86540
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
5000
ŠTEVILKA DELA
FDD86540-DG
CENA ENOTE
0.95
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQI5N50CTU
MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
FDD7N20TM
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
FQAF34N25
MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
