Številka izdelka proizvajalca:
IPD18DP10LMATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD18DP10LMATMA1-DG
Opis:
TRENCH >=100V PG-TO252-3
Podroben opis:
P-Channel 100 V 2.5A (Ta), 13.9A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
2129 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12968219
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD18DP10LMATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
178mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 1.04mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2100 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Ta), 83W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD18D
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP005343850
448-IPD18DP10LMATMA1CT
448-IPD18DP10LMATMA1DKR
448-IPD18DP10LMATMA1TR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ISC022N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TSON-8
IPB320P10LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3
ISP14EP15LMXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
