Številka izdelka proizvajalca:
IPD25CN10NGATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD25CN10NGATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
4568 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803700
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD25CN10NGATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
35A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
25mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 39µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2070 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
71W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD25CN10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPD25CN10NGATMA1CT
INFINFIPD25CN10NGATMA1
IPD25CN10NGATMA1DKR
SP001127810
IPD25CN10NGATMA1TR
2156-IPD25CN10NGATMA1
IPD25CN10NGATMA1-DG
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF2907ZPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
IRF9317PBF
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
IRF7484PBF
MOSFET N-CH 40V 14A 8SO