Številka izdelka proizvajalca:
IPD25DP06LMSAUMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD25DP06LMSAUMA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Podroben opis:
P-Channel 60 V 6.5A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Zaloga:
12804284
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD25DP06LMSAUMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
250mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 270µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
420 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
28W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-313
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD25DP06
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP004987234
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR5505CPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
IRF2907ZSPBF
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
IPA041N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-FP
