Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IPD30N08S222ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD30N08S222ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Zaloga:
1773 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13063984
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD30N08S222ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
75 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
21.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 80µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1400 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
136W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-11
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD30N08
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IPD30N08S2-22
HTML tehnični list
IPD30N08S222ATMA1-DG
Tehnični listi
IPD30N08S222ATMA1
Dodatne informacije
Druga imena
IPD30N08S222ATMA1TR
IPD30N08S2-22-ND
IFEINFIPD30N08S222ATMA1
IPD30N08S2-22
448-IPD30N08S222ATMA1CT
448-IPD30N08S222ATMA1DKR
448-IPD30N08S222ATMA1TR
IPD30N08S222ATMA1TR-ND
SP000252169
2156-IPD30N08S222ATMA1
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DMN6017SK3-13
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
6092
ŠTEVILKA DELA
DMN6017SK3-13-DG
CENA ENOTE
0.17
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STD45NF75T4
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
16447
ŠTEVILKA DELA
STD45NF75T4-DG
CENA ENOTE
0.74
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STD35NF06LT4
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
4288
ŠTEVILKA DELA
STD35NF06LT4-DG
CENA ENOTE
0.54
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPA60R950C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
IPC60R070C6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPB031NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
IPB65R150CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK