Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IPD320N20N3GBTMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD320N20N3GBTMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12804147
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD320N20N3GBTMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
34A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
32mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 90µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2350 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
136W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD320N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IPD320N20N3G
HTML tehnični list
IPD320N20N3GBTMA1-DG
Tehnični listi
IPD320N20N3GBTMA1
Dodatne informacije
Druga imena
IPD320N20N3 GTR-DG
IPD320N20N3GBTMA1DKR
SP000677838
IPD320N20N3 GDKR-DG
IPD320N20N3 GDKR
IPD320N20N3 GCT
IPD320N20N3G
IPD320N20N3GBTMA1TR
IPD320N20N3 G-DG
IPD320N20N3 GTR
IPD320N20N3 G
IPD320N20N3GBTMA1CT
IPD320N20N3 GCT-DG
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPD320N20N3GATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
3373
ŠTEVILKA DELA
IPD320N20N3GATMA1-DG
CENA ENOTE
1.39
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF6668TR1PBF
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
IRF7521D1
MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
IPP65R110CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
IPT60R028G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF