Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IPD50N04S309ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD50N04S309ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12800620
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD50N04S309ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 28µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1750 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
63W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-11
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD50
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IPD50N04S3-09
HTML tehnični list
IPD50N04S309ATMA1-DG
Tehnični listi
IPD50N04S309ATMA1
Dodatne informacije
Druga imena
INFINFIPD50N04S309ATMA1
IPD50N04S3-09-DG
SP000415582
2156-IPD50N04S309ATMA1
IPD50N04S309ATMA1TR
IPD50N04S3-09
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDD8445
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
2933
ŠTEVILKA DELA
FDD8445-DG
CENA ENOTE
0.46
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
TK35S04K3L(T6L1,NQ
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
1900
ŠTEVILKA DELA
TK35S04K3L(T6L1,NQ-DG
CENA ENOTE
0.46
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STD95N4LF3
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
7752
ŠTEVILKA DELA
STD95N4LF3-DG
CENA ENOTE
0.72
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STD64N4F6AG
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
1260
ŠTEVILKA DELA
STD64N4F6AG-DG
CENA ENOTE
0.37
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSR606NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
IPB80N06S209ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB65R150CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
IPA50R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP