Številka izdelka proizvajalca:
IPD50N08S413ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD50N08S413ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 80 V 50A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Zaloga:
4608 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800476
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD50N08S413ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
13.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 33µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1711 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
72W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-313
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD50
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPD50N08S413ATMA1-DG
SP000988948
448-IPD50N08S413ATMA1CT
448-IPD50N08S413ATMA1TR
448-IPD50N08S413ATMA1DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD50R399CP
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPB067N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK