Številka izdelka proizvajalca:
IPD50P04P4L11ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD50P04P4L11ATMA2-DG
Opis:
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Podroben opis:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Zaloga:
6020 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12927721
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD50P04P4L11ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS®-P2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 85µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+5V, -16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3900 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
58W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-313
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD50
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPD50P04P4L11ATMA2CT
448-IPD50P04P4L11ATMA2TR
SP002325766
448-IPD50P04P4L11ATMA2DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
JAN2N6764
MOSFET N-CH 100V 38A TO204AE
FDS8817NZ
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
JAN2N6782U
MOSFET N-CH 100V 3.5A 18ULCC
