Številka izdelka proizvajalca:
IPD50R399CPATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD50R399CPATMA1-DG
Opis:
LOW POWER_LEGACY
Podroben opis:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Zaloga:
12803414
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD50R399CPATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ CP
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
399mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 330µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
890 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
83W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-313
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD50R
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPD50R399CPATMA1TR
2156-IPD50R399CPATMA1TR
SP001117700
IPD50R399CPATMA1-DG
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPA70R900P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO220
IPC218N04N3X7SA1
MV POWER MOS
IPC30S2SN08NX2MA1
MV POWER MOS
