Številka izdelka proizvajalca:
IPD5N25S3430ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD5N25S3430ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 250 V 5A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Zaloga:
3038 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12801031
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD5N25S3430ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
430mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 13µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
422 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
41W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-313
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD5N25
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
INFINFIPD5N25S3430ATMA1
IPD5N25S3430ATMA1-DG
2156-IPD5N25S3430ATMA1
448-IPD5N25S3430ATMA1CT
SP000876584
448-IPD5N25S3430ATMA1TR
448-IPD5N25S3430ATMA1DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSP322PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
IPB65R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
IPC60R190E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
