Številka izdelka proizvajalca:
IPD60R180C7ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD60R180C7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
2495 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800465
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD60R180C7ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ C7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
180mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 260µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1080 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
68W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD60R
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPD60R180C7ATMA1TR
448-IPD60R180C7ATMA1DKR
448-IPD60R180C7ATMA1CT
2156-IPD60R180C7ATMA1
IFEINFIPD60R180C7ATMA1
IPD60R180C7ATMA1-DG
SP001277630
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
IPA90R800C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP
IPI06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
