Številka izdelka proizvajalca:
IPD65R225C7ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD65R225C7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
3863 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803766
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD65R225C7ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ C7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
225mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 240µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
996 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
63W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD65R225
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IPD65R225C7ATMA1CT
SP000929430
IPD65R225C7ATMA1DKR
IPD65R225C7ATMA1TR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF3805S-7PPBF
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
IPT059N15N3ATMA1
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
IPD079N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
