Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IPD65R950CFDBTMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD65R950CFDBTMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 3.9A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12850678
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD65R950CFDBTMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14.1 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
380 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
36.7W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD65R
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IPD65R950CFD
HTML tehnični list
IPD65R950CFDBTMA1-DG
Tehnični listi
IPD65R950CFDBTMA1
Dodatne informacije
Druga imena
IPD65R950CFDBTMA1CT
SP000953124
IPD65R950CFDBTMA1TR
IPD65R950CFDBTMA1DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPD65R950CFDATMA2
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
2500
ŠTEVILKA DELA
IPD65R950CFDATMA2-DG
CENA ENOTE
0.45
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
STD9N80K5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STD9N80K5-DG
CENA ENOTE
0.93
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
AOD4S60
PROIZVAJALEC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
7783
ŠTEVILKA DELA
AOD4S60-DG
CENA ENOTE
0.47
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STD7N80K5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
5091
ŠTEVILKA DELA
STD7N80K5-DG
CENA ENOTE
0.95
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AOB240L
MOSFET N-CH 40V 20A/105A TO263
FDS6162N3
MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
AOWF20S60
MOSFET N-CH 600V 20A TO262F
AOK22N50L
MOSFET N-CH 500V 22A TO247