Številka izdelka proizvajalca:
IPD70N10S312ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD70N10S312ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Zaloga:
15078 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12801217
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD70N10S312ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
70A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 83µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4355 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-11
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD70
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPD70N10S312ATMA1DKR
IPD70N10S3-12CT
IPD70N10S3-12-DG
IPD70N10S3-12DKR-DG
IPD70N10S312
IPD70N10S3-12TR-DG
IPD70N10S3-12
IPD70N10S3-12CT-DG
IPD70N10S312ATMA1TR
SP000427248
IPD70N10S3-12DKR
IPD70N10S312ATMA1CT
IPD70N10S3-12TR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPP100N06S2L05AKSA2
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IPB80N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPD65R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3