Številka izdelka proizvajalca:
IPD70N10S3L12ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD70N10S3L12ATMA2-DG
Opis:
MOSFET_(75V 120V(
Podroben opis:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Zaloga:
13269027
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD70N10S3L12ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
70A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 83µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5550 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-11
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Dodatne informacije
Druga imena
SP005549664
448-IPD70N10S3L12ATMA2TR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFP4127PBFAKMA1
TRENCH >=100V
IPB035N12NM6ATMA1
TRENCH >=100V
DMN6041SVT-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
