Številka izdelka proizvajalca:
IPD70R900P7SAUMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD70R900P7SAUMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
12655 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12823339
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD70R900P7SAUMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
700 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 60µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
211 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30.5W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD70
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPD70R900P7SAUMA1DKR
IPD70R900P7SAUMA1CT
IPD70R900P7SAUMA1TR
SP001491638
2156-IPD70R900P7SAUMA1TR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF6644TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
IRL3714L
MOSFET N-CH 20V 36A TO262
IRF8788PBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
