Številka izdelka proizvajalca:
IPD78CN10NGATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD78CN10NGATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
14157 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804581
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD78CN10NGATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
78mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 12µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
716 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
31W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD78CN10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPD78CN10NGATMA1-DG
IPD78CN10NGATMA1TR
SP001127814
IPD78CN10NGATMA1CT
2156-IPD78CN10NGATMA1
IPD78CN10NGATMA1DKR
INFINFIPD78CN10NGATMA1
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFC4227EB
MOSFET N-CH WAFER
IRF3717TRPBF-1
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
IRF6201PBF
MOSFET N-CH 20V 27A 8SO
