Številka izdelka proizvajalca:
IPD80R750P7ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD80R750P7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
4184 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12802567
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD80R750P7ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
750mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 140µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
460 pF @ 500 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
51W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD80R750
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IPD80R750P7ATMA1CT
IPD80R750P7ATMA1TR
ROCINFIPD80R750P7ATMA1
SP001644282
2156-IPD80R750P7ATMA1
IPD80R750P7ATMA1DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR3707ZCTRLP
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
AUIRL1404ZS
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
IPA057N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31