Številka izdelka proizvajalca:
IPD90N04S403ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD90N04S403ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Zaloga:
9976 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800502
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD90N04S403ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
90A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 53µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
66.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5260 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
94W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-313
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD90
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP000671630
IPD90N04S403ATMA1CT
IPD90N04S4-03-DG
IPD90N04S403ATMA1DKR
IPD90N04S4-03
INFINFIPD90N04S403ATMA1
IPD90N04S403ATMA1TR
2156-IPD90N04S403ATMA1
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB180N04S302ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3