Številka izdelka proizvajalca:
IPD90R1K2C3ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD90R1K2C3ATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
4075 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12937964
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD90R1K2C3ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.1A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 310µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
3.2 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
710 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
83W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD90
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPD90R1K2C3ATMA2DKR
448-IPD90R1K2C3ATMA2TR
448-IPD90R1K2C3ATMA2CT
SP002548874
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
UPA1556AH(7)-AZ
N-CHANNEL POWER MOSFET
NVTFS5C471NLWFTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
AOWF360A70
MOSFET N-CH 700V 12A TO262F
