Številka izdelka proizvajalca:
IPD95R1K2P7ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD95R1K2P7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 950 V 6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
12804267
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD95R1K2P7ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
950 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 140µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
478 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
52W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD95R1
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IPD95R1K2P7ATMA1DKR
SP001792314
IPD95R1K2P7ATMA1CT
IPD95R1K2P7ATMA1TR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFZ44VSTRR
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
IPP040N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
IRFH5206TR2PBF
MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN
