Številka izdelka proizvajalca:
IPDD60R080G7XTMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPDD60R080G7XTMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
Podroben opis:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 174W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Zaloga:
2376 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13064043
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPDD60R080G7XTMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
CoolMOS™ G7
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
29A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
80mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 490µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1640 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
174W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-HDSOP-10-1
Paket / Primer
10-PowerSOP Module
Osnovna številka izdelka
IPDD60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPDD60R080G7XTMA1CT
IPDD60R080G7XTMA1TR
IFEINFIPDD60R080G7XTMA1
SP001632824
IPDD60R080G7XTMA1DKR
2156-IPDD60R080G7XTMA1
Standardni paket
1,700
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF1010NLPBF
MOSFET N-CH 55V 85A TO262
IRFS4410
MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK
IRF9204PBF
MOSFET P-CH 40V 56A TO220AB