Številka izdelka proizvajalca:
IPDD60R125G7XTMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPDD60R125G7XTMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Podroben opis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Zaloga:
1692 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803150
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPDD60R125G7XTMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ G7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
125mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 320µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1080 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
120W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-HDSOP-10-1
Paket / Primer
10-PowerSOP Module
Osnovna številka izdelka
IPDD60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPDD60R125G7XTMA1DKR
SP001632876
2156-IPDD60R125G7XTMA1
IPDD60R125G7XTMA1CT
IPDD60R125G7XTMA1TR
Standardni paket
1,700
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPAN70R750P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
IPS60R1K5CEAKMA1
CONSUMER
IRF6618TRPBF
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
