Številka izdelka proizvajalca:
IPI024N06N3GXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI024N06N3GXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Zaloga:
12801611
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI024N06N3GXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 196µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
23000 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
250W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3-1
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI024
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPI024N06N3GXKSA1-DG
SP000680644
448-IPI024N06N3GXKSA1
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPP030N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
BSR316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
64-2096PBF
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
