Številka izdelka proizvajalca:
IPI076N15N5AKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI076N15N5AKSA1-DG
Opis:
MV POWER MOS
Podroben opis:
N-Channel 150 V 112A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Zaloga:
455 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803224
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI076N15N5AKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
112A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
8V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.6mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.6V @ 160µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4700 pF @ 75 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
214W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI076
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IPI076N15N5AKSA1-DG
448-IPI076N15N5AKSA1
SP001326438
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB029N06N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
IPW60R280P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
