Številka izdelka proizvajalca:
IPI100N08N3GHKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI100N08N3GHKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Zaloga:
12804329
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI100N08N3GHKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
70A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 46µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2410 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
100W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI100N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP000474192
IPI100N08N3 G-DG
IPI100N08N3 G
SP000680710
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR220NPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
IRF7464PBF
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
IPB80N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3