Številka izdelka proizvajalca:
IPI100P03P3L-04
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI100P03P3L-04-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
Podroben opis:
P-Channel 30 V 100A (Tc) 200W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Zaloga:
12803985
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI100P03P3L-04 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.1V @ 475µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+5V, -16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9300 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
200W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI100P
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP000311117
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF7748L1TRPBF
MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET
IRFHM831TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
IPB120N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
