Številka izdelka proizvajalca:
IPI110N20N3GAKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI110N20N3GAKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Zaloga:
12803111
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI110N20N3GAKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
88A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 270µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7100 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI110
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPI110N20N3 G
IPI110N20N3G
2156-IPI110N20N3GAKSA1
SP000714304
IFEINFIPI110N20N3GAKSA1
IPI110N20N3 G-DG
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPI70R950CEXKSA1
CONSUMER
IPS12CN10LGBKMA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3
IPN80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
