Številka izdelka proizvajalca:
IPI45N06S4L08AKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI45N06S4L08AKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Zaloga:
12809000
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI45N06S4L08AKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
45A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8.2mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 35µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4780 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
71W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI45N06
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPI45N06S4L-08-DG
IPI45N06S4L-08
SP000374333
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TP2522N8-G
MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA
IRLR120NTRR
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
IRFSL4321PBF
MOSFET N-CH 150V 85A TO262