Številka izdelka proizvajalca:
IPI50R399CPXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI50R399CPXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Zaloga:
12813060
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI50R399CPXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Discontinued at Digi-Key
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
399mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 330µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
890 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
83W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI50R399
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP000680738
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP18N55M5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
971
ŠTEVILKA DELA
STP18N55M5-DG
CENA ENOTE
1.33
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB65R225C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
IRF7811APBF
MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
IRFR120NTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
