Številka izdelka proizvajalca:
IPI60R199CPXKSA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI60R199CPXKSA2-DG
Opis:
HIGH POWER_LEGACY
Podroben opis:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Zaloga:
500 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804558
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI60R199CPXKSA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
16A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
199mOhm @ 9.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 660µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1520 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
139W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3-1
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI60R199
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001109508
448-IPI60R199CPXKSA2
2156-IPI60R199CPXKSA2
IPI60R199CPXKSA2-DG
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFS4620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IPU60R2K1CEBKMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
IRFR220NTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
