Številka izdelka proizvajalca:
IPI65R099C6XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI65R099C6XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 38A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Zaloga:
12810721
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI65R099C6XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
38A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
99mOhm @ 12.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1.2mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
127 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2780 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
278W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3-1
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI65R
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPI65R099C6XKSA1
INFINFIPI65R099C6XKSA1
SP000895222
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STI33N60M2
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STI33N60M2-DG
CENA ENOTE
1.72
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPP80N06S208AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
VN2410L-G-P013
MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
IRLZ34NS
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
