Številka izdelka proizvajalca:
IPI65R280C6XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI65R280C6XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Zaloga:
12801191
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI65R280C6XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 440µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
950 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI65R
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPI65R280C6XKSA1
IFEINFIPI65R280C6XKSA1
IPI65R280C6
IPI65R280C6-DG
SP000785056
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STI20N65M5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
1000
ŠTEVILKA DELA
STI20N65M5-DG
CENA ENOTE
1.27
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD50R380CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
BSS123 E6433
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPC60R190P6X7SA1
MOSFET N-CH
