Številka izdelka proizvajalca:
IPI80N06S207AKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI80N06S207AKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Zaloga:
12801725
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI80N06S207AKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Discontinued at Digi-Key
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.6mOhm @ 68A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 180µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3400 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
250W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI80N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPI80N06S207AKSA1
INFINFIPI80N06S207AKSA1
SP000218817
IPI80N06S2-07
IPI80N06S2-07-DG
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP80NF55-06
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
999
ŠTEVILKA DELA
STP80NF55-06-DG
CENA ENOTE
1.54
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSP296E6327
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
BSC079N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
IRFH8334TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
