Številka izdelka proizvajalca:
IPI80N06S3-05
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI80N06S3-05-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 165W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Zaloga:
12803441
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI80N06S3-05 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 63A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 110µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
10760 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
165W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI80N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPI80N06S3-05-IT
IPI80N06S3-05-DG
IPI80N06S3-05IN
IFEINFIPI80N06S3-05
IPI80N06S305X
IPI80N06S305XK
SP000102214
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPP80N03S4L04AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
IPP65R110CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
IPI60R165CPXKSA1
HIGH POWER_LEGACY