Številka izdelka proizvajalca:
IPI80P03P4L04AKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI80P03P4L04AKSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Podroben opis:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Zaloga:
12802592
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI80P03P4L04AKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 253µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+5V, -16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11300 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
137W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI80P
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPI80P03P4L-04-DG
IPI80P03P4L-04
SP000396318
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB120N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IRF3704ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
IRF3315
MOSFET N-CH 150V 27A TO220AB
