Številka izdelka proizvajalca:
IPI90R800C3XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI90R800C3XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Zaloga:
12805925
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI90R800C3XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
800mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 460µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1100 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI90R
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP000683086
IFEINFIPI90R800C3XKSA1
2156-IPI90R800C3XKSA1-IT
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP10N95K5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
1044
ŠTEVILKA DELA
STP10N95K5-DG
CENA ENOTE
1.42
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFU3910PBF
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
IRLR8743PBF
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
IPP80N06S2H5AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3