Številka izdelka proizvajalca:
IPL60R104C7AUMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPL60R104C7AUMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
Podroben opis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 122W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Zaloga:
8950 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12801223
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPL60R104C7AUMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ C7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
104mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 490µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1819 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
122W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-VSON-4
Paket / Primer
4-PowerTSFN
Osnovna številka izdelka
IPL60R
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPL60R104C7AUMA1CT
INFINFIPL60R104C7AUMA1
448-IPL60R104C7AUMA1DKR
448-IPL60R104C7AUMA1TR
SP001298008
IPL60R104C7AUMA1-DG
2156-IPL60R104C7AUMA1
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
2A (4 Weeks)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD50R800CEAUMA1
CONSUMER
IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
