Številka izdelka proizvajalca:
IPL60R360P6SATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPL60R360P6SATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 11.3A (Tc) 89.3W (Tc) Surface Mount 8-ThinPak (5x6)
Zaloga:
681 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800974
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPL60R360P6SATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ P6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
360mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 370µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1010 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
89.3W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-ThinPak (5x6)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
IPL60R360
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001163030
INFINFIPL60R360P6SATMA1
IPL60R360P6SATMA1CT
IPL60R360P6SATMA1TR
IPL60R360P6SATMA1DKR
2156-IPL60R360P6SATMA1
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPP16CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
IPDH4N03LAG
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
IPB60R600P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK