Številka izdelka proizvajalca:
IPN50R2K0CEATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPN50R2K0CEATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Podroben opis:
N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Zaloga:
4855 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804638
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPN50R2K0CEATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ CE
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
13V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2Ohm @ 600mA, 13V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 50µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
124 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT223-3
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Osnovna številka izdelka
IPN50R2
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001461194
IPN50R2K0CEATMA1-DG
IPN50R2K0CEATMA1CT
2156-IPN50R2K0CEATMA1
IPN50R2K0CEATMA1TR
IPN50R2K0CEATMA1DKR
INFINFIPN50R2K0CEATMA1
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPC60R380E6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IRF7828PBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
IPD06P005NATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
